Ersatz für Silizium 10.12.2020, 07:00 Uhr

Revolution für Computer – MIT-Forscher testen neues Material

Amerikanische Forscher haben vielleicht einen Weg gefunden, Rechner deutlich leistungsfähiger zu gestalten. Das neue Material ist zwar ein alter Bekannter, aber seine Eigenschaften waren nicht im Detail klar. Neue Erkenntnisse stellen es jetzt in den Fokus der Forschung.

Transistor

Foto: panthermedia.net/crstrbrt

Das chemische Element Silizium ist das wichtigste Material in der Computerindustrie. Nicht ohne Grund heißt die bekannteste Gegend für die Branche Silicon Valley. Jetzt steht aber ein neues Material in den Startlöchern: Forscher am Massachusetts Institute of Technology (MIT) glauben, dass die Legierung Indiumgalliumarsenid (InGaAs) ein so großes Potenzial berge, dass es Rechnerleistungen deutlich erhöhen könne.

Ohne Transistoren würde kein Computer funktionieren. Als winzige Schalter lassen sie elektrischen Strom fließen oder unterbinden ihn. Auf diese Weise ermöglichen sie komplexe Berechnungen. Dieses System ist seit vielen Jahren erprobt und immer weiter verbessert worden. Für die heutigen Ansprüche reichen die Leistungen, die ein Computer auf diese Weise schafft, jedoch nicht mehr aus. Für die Verarbeitung riesiger Datenmengen (Big Data) werden bereits Supercomputer eingesetzt, deren Kapazität unter Forschern sehr begehrt ist. Wünschenswert wäre eine deutlich höhere Rechnerleistung, sowohl für herkömmliche Computer als auch für die riesigen Rechenzentren. Neben der Arbeit an Quantencomputern, die mit viele Herausforderungen verbunden ist, arbeiten Elektroingenieure daran, bessere Transistoren zu entwickeln.

Quantencomputer: Ein Quäntchen Realität

Probleme zeigte das Material bisher in kleinem Maßstab

Das MIT-Team ist überzeugt, dass InGaAs eine interessante Alternative darstellen könnte, um Computer weiter zu verbessern und ihre Rechengeschwindigkeit zu erhöhen. Dass Elektronen die Legierung selbst bei niedriger Spannung durchfliegen können, ist bekannt. Entsprechend schnell können Transistoren aus diesem Material Signale verarbeiten und Prozesse beschleunigen. Außerdem ist die niedrige Spannung ein Faktor für mehr Energieeffizienz.

Stellenangebote im Bereich Elektrotechnik, Elektronik

Elektrotechnik, Elektronik Jobs
PFISTERER Kontaktsysteme GmbH-Firmenlogo
Technical Support High Voltage Accessories (m/w/d) PFISTERER Kontaktsysteme GmbH
Winterbach Zum Job 
B. Braun Melsungen AG-Firmenlogo
Global Lead (w/m/d) Operational Technology (OT) B. Braun Melsungen AG
Melsungen Zum Job 
WIRTGEN GmbH-Firmenlogo
Duales Studium Software Engineering - Bachelor of Engineering (m/w/d) WIRTGEN GmbH
Windhagen, Remagen Zum Job 
Infraserv GmbH & Co. Höchst KG-Firmenlogo
Ingenieur (w/m/d) Anlagen- & Prozesssicherheit Infraserv GmbH & Co. Höchst KG
Frankfurt am Main Zum Job 
Schluchseewerk AG-Firmenlogo
Ingenieur (m/w/d) Schwerpunkt Konformität Schluchseewerk AG
Laufenburg Zum Job 
Indorama Ventures Polymers Germany GmbH-Firmenlogo
Sicherheitsingenieur (m/w/d) für Anlagen- und Prozesssicherheit Indorama Ventures Polymers Germany GmbH
Gersthofen Zum Job 
TotalEnergies-Firmenlogo
Koordinator (m/w/d) Inbetriebnahme und Qualität TotalEnergies
Berlin, München Zum Job 
Münchener Rückversicherungs-Gesellschaft Aktiengesellschaft in München-Firmenlogo
Underwriter Downstream / Energy (m/f/d)* Münchener Rückversicherungs-Gesellschaft Aktiengesellschaft in München
München Zum Job 
STAWAG - Stadt und Städteregionswerke Aachen AG-Firmenlogo
Betriebsingenieur:in Wärmeanlagen (m/w/d) STAWAG - Stadt und Städteregionswerke Aachen AG
Prognost Systems GmbH-Firmenlogo
Technischer Projektmanager (m/w/d) (Maschinenbauingenieur, Maschinenbautechniker, Elektrotechniker, Mechatroniker o. ä) Prognost Systems GmbH
Stadtwerke Südholstein GmbH-Firmenlogo
Ingenieur der Elektro- oder Energietechnik als Leiter Planung und Netzbetrieb Strom (m/w/d) Stadtwerke Südholstein GmbH
Pinneberg Zum Job 
Friotherm Deutschland GmbH-Firmenlogo
Elektrotechniker / Elektrokonstrukteur (m/w/d) Friotherm Deutschland GmbH
Weißensberg Zum Job 
Stuttgart Netze GmbH-Firmenlogo
Ingenieur Planung Straßenbeleuchtung (w/m/d) Stuttgart Netze GmbH
Stuttgart Zum Job 
Stuttgart Netze GmbH-Firmenlogo
Ingenieur Baukoordination und Qualitätssicherung (w/m/d) Stuttgart Netze GmbH
Stuttgart Zum Job 
Stuttgart Netze GmbH-Firmenlogo
Ingenieur Projektierung Netze Strom / Gas (w/m/d) Stuttgart Netze GmbH
Stuttgart Zum Job 
VIAVI-Firmenlogo
Solutions Engineer (m/w/d) VIAVI
Eningen Zum Job 
Klinikverbund Südwest-Firmenlogo
Strahlenschutzbeauftragter (m/w/d) Klinikverbund Südwest
Sindelfingen Zum Job 
Klinikverbund Südwest-Firmenlogo
Strahlenschutzbeauftragter (m/w/d) Klinikverbund Südwest
Sindelfingen Zum Job 
Ferrotec Europe GmbH-Firmenlogo
Account Manager Thermistoren Automotive (m/w/d) Ferrotec Europe GmbH
Frankfurt, Unterensingen, Home-Office Zum Job 
Adolf Würth GmbH & Co. KG-Firmenlogo
Elektroingenieur (m/w/d) Fahrzeugeinrichtung Adolf Würth GmbH & Co. KG
Obersulm-Willsbach Zum Job 

Trotzdem galt Indiumgalliumarsenid als ungeeignet, um Silizium zu ersetzen. Denn im kleinen Maßstab, also beispielsweise beim Bau dichter Computerprozessoren, schienen sich Elektronentransporteigenschaften der Legierung so stark zu verschlechtern, dass es den Vergleich mit Silizium nicht standhielt. Die MIT-Forscher glauben, für diese Veränderung den Schlüssel gefunden zu haben. Und sie stellen auch gleich eine Lösung vor, um dieses Problem zu beheben.

Grund für verringerte Leistung gefunden

Die Wissenschaftler haben festgestellt, dass die verringerte Leistung auf Oxideinschlüsse zurückzuführen ist. Vereinfacht gesagt, bleiben die Elektronen durch diese Einschlüsse regelrecht stecken, wenn sie durch den Transistor wandern. Das verringere die Menge an fließendem Strom und damit die Schaltfähigkeit. Dieses Wissen allein reicht aber natürlich nicht aus, um das Material attraktiver zu gestalten. Das MIT-Team hat daher verschiedene Versuche durchgeführt und eine Lösung gefunden. Der Stromfluss hängt nämlich von der Frequenz ab, also von der Rate, mit der elektrische Impulse durch den Transistor geschickt werden.

IBM baut Mikrochip mit Kohlenstoffröhrchen anstelle von Silizium

Während die Leistung der InGaAs-Transistoren bei niedrigen Frequenzen verringert ist, steigt sie ab einer Frequenz von einem Gigahertz oder mehr deutlich an. „Wenn wir diese Bauteile bei wirklich hohen Frequenzen betreiben, ist die Leistung wirklich gut. Sie sind eine Konkurrenz zur Siliziumtechnologie“, sagt Xiaowei Cai, Hauptautorin der Studie.

Forscher schätzen Potenzial der Legierung als sehr hoch ein

Was folgt jetzt daraus? Für Cai steht die Erkenntnis im Vordergrund, dass die Oxideinschlüsse die Herausforderung sind, wenn man mit Indiumgalliumarsenid arbeitet. „Wir glauben, dass dies ein Problem ist, das gelöst werden kann.“ Sie hofft, dass diese Ergebnisse dazu führen werden, dass Forscher sich diesem Material wieder stärker zuwenden, um es für Computertransistoren einzusetzen. Sie sieht ein Potenzial nicht nur für herkömmliche Rechner, sondern auch im Bereich der Quantencomputer. Sie ist überzeugt: Indiumgalliumarsenid könne die Rechenleistung und Effizienz von Computern so weit steigern, dass weitaus mehr möglich wäre als mit Silizium.

Weitere Beiträge aus dem Bereich Elektronik:

Ein Beitrag von:

  • Nicole Lücke

    Nicole Lücke macht Wissenschaftsjournalismus für Forschungszentren und Hochschulen, berichtet von medizinischen Fachkongressen und betreut Kundenmagazine für Energieversorger. Sie ist Gesellschafterin von Content Qualitäten. Ihre Themen: Energie, Technik, Nachhaltigkeit, Medizin/Medizintechnik.

Themen im Artikel

Zu unseren Newslettern anmelden

Das Wichtigste immer im Blick: Mit unseren beiden Newslettern verpassen Sie keine News mehr aus der schönen neuen Technikwelt und erhalten Karrieretipps rund um Jobsuche & Bewerbung. Sie begeistert ein Thema mehr als das andere? Dann wählen Sie einfach Ihren kostenfreien Favoriten.