Silizium ist das am weitesten verbreitete Halbleitermaterial und bildet die Grundlage moderner Mikroelektronik. Durch gezielte Nanostrukturierung lassen sich seine physikalischen Eigenschaften jedoch erheblich modifizieren. Ein Forschungsteam am Helmholtz-Zentrum Berlin (HZB) hat mit einer eigens entwickelten Ätzapparatur mesoporöse Siliziumschichten erzeugt, die durch ihre extrem feine Porenstruktur eine außergewöhnliche elektrische Leitfähigkeit und…